Προηγμένη Ηλεκτρονική Μικροσκοπία για την Επιστήμη των Υλικών

Η παρούσα εργασία παρουσιάζει τις τρέχουσες τάσεις της έρευνας σεπροηγμένες τεχνικές ηλεκτρονικής μικροσκοπίαςγια την επιστήμη των υλικών. Η έρευνα βασίζεται στο ειδικό τεύχος τουΣυναλλαγές Υλικώνδημοσιεύθηκε τον Οκτώβριο του 2019 (Τόμος 60, Νο. 10). Η προηγμένη ηλεκτρονική μικροσκοπία έχει εφαρμοστεί εκτενώς για τον χαρακτηρισμό διαφόρων υλικών. Η πρόσφατη ανάπτυξη και επέκταση των αναλύσεων των ηλεκτρικώνΦιγωνίες και τις συλλογικές κινήσεις των δευτερευόντων ηλεκτρονίων κατάεπί τόπουΗ ολογραφία ηλεκτρονίων συζητείται λεπτομερώς.[doi: 10.2320/matertrans.MT-M2021086](Λήψη 14 Μαΐου 2021, Αποδοχή 12 Ιουλίου 2021, Δημοσίευση 3 Σεπτεμβρίου 2021)

Λέξεις-κλειδιά:ηλεκτρονιακή ολογραφία, δυναμική περίθλαση, in situ πείραμα, ηλεκτρικό πεδίο, δευτερεύον ηλεκτρόνιο

Υποστήριξη της Wecistanche-Ο μεγαλύτερος εξαγωγέας κιστάνι στην Κίνα:

Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου:wallence.suen@wecistanche.com

Whatsapp/Tel:+86 15292862950

Αγορά για περισσότερες λεπτομέρειες Λεπτομέρειες:

https://www.xjcistanche.com/cistanche-κατάστημα

ΚΑΝΤΕ ΚΛΙΚ ΕΔΩ ΓΙΑ ΝΑ ΠΑΡΕΤΕ ΦΥΣΙΚΟ ΒΙΟΛΟΓΙΚΟ ΕΚΧΥΛΙΣΜΑ ΚΙΣΤΑΝΧΗΣ ΜΕ 25% ΕΧΙΝΑΚΟΣΙΔΗ ΚΑΙ 9% ΑΚΤΕΟΣΙΔΗ ΓΙΑ ΤΗ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑ ΤΩΝ ΝΕΦΡΩΝ

1. Εισαγωγή

Ηλεκτρονικό μικροσκόπιο μετάδοσης(TEM) έχει χρησιμοποιηθεί για την αποσαφήνιση των μικροδομών διαφόρωνλειτουργικά υλικά, καιυψηλής ανάλυσηςTEM15) έχει χρησιμοποιηθεί για την άμεση παρατήρηση των ατομικών διατάξεων. Τέτοιες λεπτομερείς ατομικές διατάξεις που προβάλλονται προς τα κάτω κατά μήκος της προσπίπτουσας δέσμης ηλεκτρονίων μπορούν να παρατηρηθούν με όριο ανάλυσης μικρότερο από 0,1 nm. Χρησιμοποιώντας μικροανιχνευτές μικρότερους από 0.1 nm και συστήματα σάρωσης δέσμης, μετάδοση σάρωσηςηλεκτρονική μικροσκοπία(STEM) χρησιμοποιείται για την απόκτησηστοιχειακή χαρτογράφηση ατομικού επιπέδου.69) Εκτός από αυτή τη βελτίωση στην ανάλυση, οι ερευνητές έχουν αναπτύξει τεχνικές για την ανάλυση της κατανομής του ηλεκτρομαγνητικού πεδίου μέσα και έξω από τα δείγματα, εστιάζοντας στις πληροφορίες φάσης τουπροσπίπτουσα δέσμη ηλεκτρονίων. Μια τυπική τεχνική είναι η ηλεκτρονική ολογραφία, η οποία χρησιμοποιεί την παρεμβολή ηλεκτρονιακών κυμάτων.1013)

Παρόλο που είναι διαθέσιμες πολυάριθμες εργασίες ανασκόπησης και επισκόπησης, συμπεριλαμβανομένων βιβλίων, που περιγράφουν τις εφαρμογές του TEM στην επιστήμη των υλικών, 4,14,15) δημοσιεύτηκε ένα ειδικό τεύχος τον Οκτώβριο του 2019 στο Materials Transactions (Τόμος 60, Νο. 10) με τον τίτλο «Ανάπτυξη και Εφαρμογή Προηγμένων Τεχνικών Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας για την Επιστήμη των Υλικών». Αυτό το ειδικό τεύχος περιέχει συνολικά πέντε άρθρα που καλύπτουν έρευνα σχετικά με την κυματική συμπεριφορά των ηλεκτρονίων16,17) και αναλύσεις υλικών και συσκευών που χρησιμοποιούν ολογραφία ηλεκτρονίων.18,19) Εκτός από την ολογραφία ηλεκτρονίων, διάφορες τεχνικές όπως η απεικόνιση σκοτεινού πεδίου και η υψηλή -Γωνιακό δακτυλιοειδές σκοτεινό πεδίο (HAADF) έχουν χρησιμοποιηθεί παρατηρήσεις STEMχαρακτηρίζουν τοίχους φορτισμένου τομέα(CDW) σε σιδηροηλεκτρικά υλικά.20) Επιπλέον, πρόσφατα δημοσιεύθηκαν εκτενείς αναλύσεις που βασίζονται σε TEM.2123)

Πριν από τη δημοσίευση αυτού του ειδικού τεύχους, πραγματοποιήθηκε η 27η Συνάντηση της Εταιρείας Έρευνας Επιστήμης και Μηχανικής Υλικών στο Ινστιτούτο Πολυεπιστημονικής Έρευνας για Προηγμένα Υλικά του Πανεπιστημίου Τοχόκου, με θέμα «Πρόσφατες Τάσεις στις Ιδιότητες Υλικών και τις Τεχνικές Μικροσκοπίας». Αυτό το ειδικό τεύχος συγκεντρώθηκε με τη συλλογή εγγράφων από ορισμένους από τους συμμετέχοντες στη συνάντηση. Σχετικά με την ολογραφία ηλεκτρονίων, είναι διαθέσιμα άρθρα ανασκόπησης.13,24) Επίσης, πρόσφατα δημοσιεύτηκε ένα ειδικό τεύχος της Microscopy με θέμα "Electron Interference Microscopy".2535) Στις ακόλουθες ενότητες, εξετάζουμε το ειδικό τεύχος του Materials Transactions (Τόμος 60 Νο. 10), και παρουσιάζουμε τις τελευταίες ερευνητικές εξελίξεις της ερευνητικής μας ομάδας σχετικά με το ειδικό τεύχος.

2. Ανασκόπηση του Ειδικού Τεύχους

2.1 Δημιουργία και έλεγχος δέσμης ηλεκτρονιακής δίνης

Στο ειδικό τεύχος Materials Transactions με θέμα "Ανάπτυξη και Εφαρμογή Προηγμένων Τεχνικών Ηλεκτρονικής Μικροσκοπίας για την Επιστήμη των Υλικών", οι Harada et al.16 ανέφεραν ότι παράγουν δέσμες στροβιλισμού χρησιμοποιώντας σχάρες σε σχήμα πιρουνιού που κατασκευάζονται από όργανα εστιασμένης δέσμης ιόντων (FIB) για τη διαύγαση την απόδοση των ακτίνων δίνης. Παρήγαγαν δέσμες στροβιλισμού χρησιμοποιώντας ένα οπτικό σύστημα περίθλασης ηλεκτρονίων μικρής γωνίας36) και επίσης έλεγξαν επιτυχώς τις δέσμες στροβιλισμού αλλάζοντας τα σχήματα και τα μεγέθη των ανοιγμάτων. Οι δέσμες ηλεκτρονιακής δίνης μπορούν να μεταφέρουν γωνιακή ροπή ενώ διαδίδονται3740) και μπορούν ενδεχομένως να χρησιμοποιηθούν για την ανίχνευση της μαγνητικής ροής κάθετα στο επίπεδο δείγματος λόγω της γωνιακής ορμής του, επιπλέον των συνιστωσών εντός του επιπέδου (κάθετα στη δέσμη ηλεκτρονίων) του μαγνητική ροή λόγω της δύναμης Lorenz.4143) Επιπλέον, οι δέσμες ηλεκτρονιακής δίνης μπορούν ενδεχομένως να χρησιμοποιηθούν για μικροκατασκευή και έλεγχο μαγνήτισης. Αυτές οι πιθανές εφαρμογές υποδεικνύουν ότι οι δέσμες ηλεκτρονίων στροβιλισμού και άλλες εκτεταμένες δέσμες ηλεκτρονίων όπως οι δέσμες Bessel είναι πιθανές τεχνολογίες δέσμης ηλεκτρονίων επόμενης γενιάς.4447)

2.2 Επίδραση της δυναμικής περίθλασης ηλεκτρονίων στη μετατόπιση φάσης ηλεκτρονίων

Η προαναφερθείσα ειδική έκδοση Materials Transactions περιλαμβάνει τους Akase et al.' 17) διερεύνηση της επίδρασης της δυναμικής περίθλασης ηλεκτρονίων στη μετατόπιση φάσης4851) σε ολογράμματα ηλεκτρονίων που καταγράφηκαν από ένα σφηνοειδές δείγμα μονοκρυστάλλου Si γύρω από μια συνθήκη περίθλασης Bragg. Τα αποτελέσματά τους δείχνουν ότι το αποτελεσματικό εσωτερικό δυναμικό εξαρτάται από την κατεύθυνση της προσπίπτουσας δέσμης ηλεκτρονίων, ειδικά κοντά στη συνθήκη Bragg. Η χαρακτηριστική μετατόπιση φάσης έχει αναλυθεί χρησιμοποιώντας τη δυναμική θεωρία της περίθλασης ηλεκτρονίων.52)

Το σχήμα 1 δείχνει εικόνες φωτεινού πεδίου, ανακατασκευασμένες εικόνες φάσης και προφίλ μετατόπισης φάσης χωρίς (α) και με (β) τη συνθήκη Bragg 220. Όταν το δείγμα δεν ικανοποιεί τη συνθήκη Bragg, η μετατόπιση φάσης αυξάνεται ανάλογα με το πάχος του δείγματος, όπως φαίνεται στην Εικ. 1(a). Ωστόσο, όταν το δείγμα ικανοποιεί τη συνθήκη Bragg 220, όπως φαίνεται στην Εικ. 1(β), η μετατόπιση φάσης πηδά ³ ακτίνια σε θέσεις όπου εμφανίζονται σκούρα κρόσσια πάχους στην αντίστοιχη εικόνα φωτεινού πεδίου. Αυτά τα 3 ακτινικά άλματα μπορούν να εξηγηθούν από τη δυναμική θεωρία της περίθλασης ηλεκτρονίων, όπως φαίνεται στο Σχ. 2. Κάθε στήλη στο Σχ. 2 δείχνει διαφορετικές συνθήκες περίθλασης. Η επάνω σειρά δείχνει γραφικές παραστάσεις της μιγαδικής τιμής του ¼0 exp(¹2³i«t) στο μιγαδικό επίπεδο με το πάχος t ως παράμετρο, όπου το ¼0 είναι μια κυματοσυνάρτηση του κύματος αντικειμένου και » είναι το διάνυσμα κύματος για τα προσπίπτοντα ηλεκτρόνια στο κενό. Το πλάτος αυτής της μιγαδικής τιμής αντιστοιχεί στην τετραγωνική ρίζα της έντασης και η γωνία της μιγαδικής τιμής αντιστοιχεί στη μετατόπιση φάσης. Το πάχος κυμαίνεται από 0 έως 300 nm. Τα δεδομένα που αντιστοιχούν σε 2080 nm απεικονίζονται ως κόκκινες έντονες γραμμές στο Σχ. 2. Η μεσαία και η κάτω σειρά δείχνουν την ένταση και τη μετατόπιση φάσης που απεικονίζονται ως συναρτήσεις του πάχους t, αντίστοιχα. Στην κεντρική στήλη του Σχ. 2, το δείγμα βρίσκεται υπό μια ακριβή συνθήκη περίθλασης 220 Bragg, όπου η τροχιά ¼0 exp(123i«t) τέμνει την αρχή του μιγαδικού επιπέδου. Στο πάχος της τομής, το πλάτος της μιγαδικής τιμής είναι μηδέν. Επομένως, η αντίστοιχη θέση στην εικόνα φωτεινού πεδίου εμφανίζεται σκοτεινή. Σημειωτέον, η φάση του ¼0 exp(123i«t) ανατράπηκε κατά μήκος της αρχής του μιγαδικού επιπέδου. Επομένως, το προφίλ μετατόπισης φάσης εμφανίζει άλματα ³ στα σκούρα περιθώρια πάχους. Η αριστερή και η δεξιά στήλες στο Σχ. 2 δείχνουν τα αποτελέσματα όταν το πρόσημο του σφάλματος διέγερσης της ανάκλασης 220 είναι αρνητικό και θετικό, αντίστοιχα. Σε αυτές τις περιπτώσεις, εμφανίζεται επίσης ένα περιθώριο πάχους στην εικόνα φωτεινού πεδίου. Ωστόσο, η ένταση του σκοτεινού περιθωρίου δεν μηδενίζεται (δείτε μια μεσαία σειρά του Σχ. 2) και δεν παρατηρούνται άλματα στο προφίλ μετατόπισης φάσης (δείτε μια κάτω σειρά του Σχ. 2). Σημειωτέον, η κλίση της μετατόπισης φάσης προς το πάχος, δηλαδή, το «αποτελεσματικό εσωτερικό δυναμικό», εξαρτάται από το πρόσημο του σφάλματος διέγερσης των 220 ανακλάσεων (βλ. κάτω σειρά του Σχ. 2). Αυτή η τάση επιβεβαιώθηκε από μια σειρά πειραματικά ανακατασκευασμένων εικόνων φάσης με διαφορετικές κατευθύνσεις προσπίπτουσας δέσμης.

2.3 Ανάλυση ηλεκτρικού πεδίου ιζημάτων σε πολυστρωματικό κεραμικό πυκνωτή

Οι Kawamoto et al. έχουν επιδείξει μια μοναδική μέθοδο χαρακτηρισμού που βασίζεται στην ολογραφία ηλεκτρονίων για τον προσδιορισμό των ηλεκτρικών ιδιοτήτων των ιζημάτων υπομικρομέτρου που παράγονται σε πολυστρωματικούς κεραμικούς πυκνωτές (MLCC). εμπορικά MLCC BaTiO3. Οι ερευνητές ανέφεραν ότι το προστιθέμενο Mg και τα στοιχεία σπανίων γαιών παίζουν σημαντικό ρόλο στον έλεγχο της εξάρτησης από τη θερμοκρασία της διηλεκτρικής σταθεράς.53) Ωστόσο, η προσθήκη τέτοιων στοιχείων προκαλεί σύνθετη κατακρήμνιση εντός της διηλεκτρικής ουσίας (π.χ. 54) Φάση πλούσια σε Si,55) και άλλα). Επειδή αυτά τα ιζήματα έχουν διηλεκτρικές σταθερές που διαφέρουν ουσιαστικά από αυτές της μήτρας BaTiO3, είναι πιθανό να υποβαθμίσουν την απόδοση του πυκνωτή. Επομένως, η μελέτη των τοπικών ηλεκτρικών ιδιοτήτων στη γειτονιά των ιζημάτων σε κλίμακα υπομικρομέτρου είναι σημαντική.

Στη μελέτη τους, οι Kawamoto et al. χρησιμοποίησε ολογραφία ηλεκτρονίων με μικροανιχνευτές χειρισμού στο TEM5658) για να χαρακτηρίσει τα ιζήματα σε κλίμακα υπομικρομέτρου που σχηματίζονται σε MLCCs59) και να αναγνωρίσει τα αντικείμενα που προκαλούν επιβλαβείς ηλεκτρικές βλάβες. Το Σχήμα 3(α) δείχνει μια σχηματική παράσταση ενός δείγματος λεπτού φύλλου (20 μm © 6 μm © 100 nm) με μια στοιβαγμένη διαμόρφωση που περιλαμβάνει μια κάθοδο Ni, μια διηλεκτρική ουσία (BaTiO3) και μια άνοδο Ni. Σημειώστε ότι η κάθοδος και η άνοδος είναι φυσικά συνδεδεμένα με δόντια Pt, τα οποία έρχονται σε επαφή με μεταλλικούς ανιχνευτές PtIr όταν εφαρμόζεται ηλεκτρική τάση στο δείγμα. Το σχήμα 3(b) δείχνει μια εικόνα ADF-STEM του δείγματος. Ένα ίζημα που εμφανίζεται με σκούρα αντίθεση υποδεικνύεται με ένα πράσινο βέλος. Η ανάλυση φασματοσκοπίας ακτίνων Χ διασποράς ενέργειας (EDS) δείχνει ότι αυτό το ίζημα είναι πλούσιο σε Cr και φτωχό σε Si. Το Σχήμα 3(c) είναι μια ανακατασκευασμένη εικόνα φάσης κάτω από μια αποτελεσματική εφαρμοζόμενη τάση 7 V. Έτσι, οι συγγραφείς αφαίρεσαν τις πληροφορίες μετατόπισης φάσης που αποκτήθηκαν υπό μια εφαρμοζόμενη τάση 3 V από αυτήν που αποκτήθηκε κάτω από 10 V για να καταστείλουν ανεπιθύμητες πληροφορίες φάσης, όπως σημαντικές αλλαγές στο μέσο εσωτερικό δυναμικό στις θέσεις των ιζημάτων, διακυμάνσεις πάχους στο δείγμα και το μαγνητικό πεδίο από τα ηλεκτρόδια Ni. Συγκεκριμένα, σημειώθηκε μια αλλαγή τόσο στην απόσταση όσο και στις κατευθύνσεις των γραμμών περιγράμματος στην τοπική περιοχή του ιζήματος, η οποία αποδόθηκε στη διαφορά στην ηλεκτρική αγωγιμότητα μεταξύ του ιζήματος και της μήτρας BaTiO3. Το Σχήμα 3(δ) δείχνει έναν δισδιάστατο προσομοιωμένο χάρτη ηλεκτρικού πεδίου με βάση τη μοντελοποίηση της μεθόδου πεπερασμένων στοιχείων (FEM). Σε αυτό το μοντέλο, η ηλεκτρική αγωγιμότητα του ιζήματος ·Β είναι ουσιαστικά μικρότερη από την αγωγιμότητα της μήτρας ·Μ. Τα αποτελέσματα στο Σχ. 3(δ) εξηγούν διάφορα χαρακτηριστικά των παρατηρήσεων (Σχ. 3(γ)), ​​όπως η μειωμένη απόσταση των γραμμών περιγράμματος εντός του ιζήματος και η σταδιακή αλλαγή στην απόσταση στην περιοχή της μήτρας. Η αγωγιμότητα της πλούσιας σε Cr φάσης θα πρέπει να είναι μικρότερη από αυτή της μήτρας κατά δύο ή τρεις τάξεις μεγέθους. Αυτή η μέθοδος μπορεί να οδηγήσει σε μια βαθύτερη κατανόηση της σχέσης μεταξύ της πολύπλοκης μικροδομής και των λειτουργιών του υλικού σε πυκνωτές που χρησιμοποιούνται ευρέως στη βιομηχανία.

2.4 Χαρακτηρισμός τοίχων φορτισμένων περιοχών σε σιδηροηλεκτρικό υλικό

Οι Nakajima et al.20) εξέτασαν δομές CDW60) σε Ca31xSrxTi2O7 (CSTO) χρησιμοποιώντας ΤΕΜ. Ο σιδηροηλεκτρισμός στο CSTO έχει παρατηρηθεί τόσο με συμβατικές μετρήσεις ηλεκτρικής πόλωσης όσο και με μικροσκόπιο πιεζοαπόκρισης.61) Το τελευταίο αποκάλυψε δύο τύπους CDW στο CSTO όσον αφορά την πολικότητα και την αγωγιμότητα: υψηλής αγωγιμότητας τοίχους "κεφαλής με κεφάλι" και χαμηλής αγωγιμότητα "ουρά-ουρά" τοίχοι. Τα CDW είναι πολλά υποσχόμενα για εφαρμογές συσκευών, επειδή η μορφολογία και η αγωγιμότητά τους μπορούν να ελεγχθούν από ηλεκτρικά πεδία και άλλα φυσικά φαινόμενα. χαρακτηριστικά του CSTO. Οι παρατηρήσεις HAADF-STEM έχουν δείξει ανωμαλία στη στοίβαξη στα μπλοκ δομημένα με περοβσκίτη. Επιπλέον, η ολογραφία ηλεκτρονίων έχει αποκαλύψει περιοχές ακανόνιστης στοίβαξης που προκαλούν αλλαγές στο μέσο εσωτερικό δυναμικό λόγω της περιεκτικότητας σε Sr. Αυτές οι μικροσκοπικές μελέτες βελτιώνουν την κατανόησή μας για τους μηχανισμούς με τους οποίους αναπτύσσονται οι σιδηροηλεκτρικοί τομείς στο CSTO.

2.5 Ανάλυση δευτερευόντων ηλεκτρονίων γύρω από φορτισμένο εποξειδικό φιλμ

Μέχρι στιγμής έχουμε περιγράψει διάφοραΤεχνικές ΤΕΜγια την επιστήμη των υλικών, συμπεριλαμβανομένων μεθόδων παρατήρησης ηλεκτρικών πεδίων με ηλεκτρονιακή ολογραφία. Ως επέκταση αυτών των μελετών, ένα από τα πιο ενδιαφέροντα θέματα είναι η οπτικοποίηση της κίνησης των ηλεκτρονίων επειδή τα ηλεκτρομαγνητικά πεδία προέρχονται από αυτές τις κινήσεις. Η παλαιότερη από αυτές τις μελέτες επικεντρώθηκε στην επίδραση φόρτισης σε βιολογικά δείγματα.68,69) Στη συνέχεια, η συσσώρευση και η κατανομή των ηλεκτρονίων παρατηρήθηκε για διάφορα μονωτικά υλικά, με μεγάλη προσοχή στις επιφάνειές τους.

Οι Sato et al.19) μελέτησαν την κατανομή των δευτερογενών ηλεκτρονίων γύρω από ένα φορτισμένο εποξειδικό φιλμ που παρασκευάστηκε με ultra microtomy. Το Σχήμα 4(α) δείχνει μια ανακατασκευασμένη εικόνα φάσης μιας λεπτής μεμβράνης εποξειδικής ρητίνης (σκούρο-καφέ περιοχή). Το ηλεκτρικό δυναμικό της επιφάνειας του δείγματος υπολογίστηκε ότι είναι 1,2 V σε σύγκριση με μια προσομοιωμένη ανακατασκευασμένη εικόνα. Αν και δεν υπήρχαν μεταλλικά στοιχεία στην επιφάνεια του δείγματος, το φαινόμενο φόρτισης θεωρήθηκε ότι καταστέλλεται από την ακτινοβολία από δευτερεύοντα ηλεκτρόνια από την πλάκα στήριξης του δείγματος κοντά στην παρατηρούμενη περιοχή. Η ανακατασκευασμένη εικόνα πλάτους στο Σχ. 4(β) δείχνει κόκκινες περιοχές γύρω από την επιφάνεια της εποξειδικής ρητίνης, η οποία θεωρείται ότι αντιστοιχεί σε υψηλή πυκνότητα δευτερογενών ηλεκτρονίων που αλληλεπιδρούν έντονα με την επιφάνεια του θετικά φορτισμένου δείγματος. Συγκεκριμένα, στην κοίλη περιοχή που υποδεικνύεται από το βέλος στο Σχ. 4(β), είναι εμφανής μια έντονο κόκκινο περιοχή. αυτή η περιοχή αντιστοιχεί σε μεγάλη διακύμανση του ηλεκτρικού πεδίου λόγω της αλληλεπίδρασης των συσσωρευμένων δευτερογενών ηλεκτρονίων με την επιφάνεια. Αφού παρατηρήθηκε ένα ολόγραμμα της εποξειδικής ρητίνης, και οι δύο πλευρές του λεπτού δείγματος ακτινοβολήθηκαν με σύστημα FIB χρησιμοποιώντας μια αδύναμη δέσμη ιόντων Ga+-. Η ένταση της δέσμης ήταν 0.85 © 103 mC·m¹2, η οποία είναι 200 ​​φορές μικρότερη από αυτή που χρησιμοποιείται συνήθως για τη στίλβωση δειγμάτων. Η ανακατασκευασμένη εικόνα φάσης στο Σχ. 4(γ) δείχνει ότι το ηλεκτρικό δυναμικό του δείγματος γίνεται 1,0 V σύμφωνα με τα αποτελέσματα της προσομοίωσης. Το ηλεκτρικό δυναμικό του δείγματος πριν και μετά την ακτινοβολία δεν διέφερε ουσιαστικά επειδή χρησιμοποιήθηκε μια ασθενής δέσμη ιόντων Ga{16}}. Στην ανακατασκευασμένη εικόνα πλάτους στο Σχ. 4(δ), οι έγχρωμες περιοχές που παρατηρούνται στο Σχ. 4(β) δεν είναι πλέον ορατές. Έτσι, η κατανομή των δευτερογενών ηλεκτρονίων που αλληλεπιδρούν έντονα με την επιφάνεια της θετικά φορτισμένης εποξειδικής ρητίνης είναι ευαίσθητη στην παρουσία μεταλλικών στοιχείων στην επιφάνεια.

Εικ. 4 (α) Ανακατασκευασμένη εικόνα φάσης εποξειδικής ρητίνης υπερμικροτομής. (β) Ανακατασκευασμένη εικόνα πλάτους ρητίνης. (γ) Ανακατασκευασμένη εικόνα φάσης επεξεργασμένης ρητίνης FIB. (δ) Ανακατασκευασμένη εικόνα πλάτους επεξεργασμένης ρητίνης FIB.19)